2013年四川大学半导体物理及器件基础考研真题一.扼要解释下列术语（每题6分，共30分）1.等电子陷阱2.负微分电导3.江崎效应4.俄歇复合5.谷间...
2009年四川大学半导体物理及器件基础考研真题1.硅材料中的缺陷在禁带中引入两个分离能级。假设一为施主能级，能级位置在价带上方0.25eV处；...
2007年天津工业大学半导体物理考研真题一、选择填空（每题3分，共30分）1.电子在晶体中的共有化运动指的是___A.电子在晶体中各处出现的几率...
2004年上海华东师范大学半导体物理考研真题一、名词解释（每题4分，共32分）施主_______________________________________________________...
2003年上海华东师范大学半导体物理考研真题一、名词解释（每题4分，共36分）迁移率_____________________________________________________...
