电路第二部分模拟子技电基术础第5半导体章件器第章6基本大放路电第章集成运放7其及应用第8章直稳流电压电路源第5半章导器件体5.51.52.35.4...
©2023InstituteforInformationIndustry2024年全球与台湾半导体产业展望潘建光产业顾问兼组长产业情报研究所财团法人信息工业策进会2023.11...
2014年江苏扬州大学半导体物理考研真题A卷一、填充题(共20题,每题2分,每个空格1分,共40分)1.两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导...
2013年四川大学半导体物理及器件基础考研真题一.扼要解释下列术语(每题6分,共30分)1.等电子陷阱2.负微分电导3.江崎效应4.俄歇复合5.谷间...
2009年四川大学半导体物理及器件基础考研真题1.硅材料中的缺陷在禁带中引入两个分离能级。假设一为施主能级,能级位置在价带上方0.25eV处;...
2007年天津工业大学半导体物理考研真题一、选择填空(每题3分,共30分)1.电子在晶体中的共有化运动指的是___A.电子在晶体中各处出现的几率...
2004年上海华东师范大学半导体物理考研真题一、名词解释(每题4分,共32分)施主_______________________________________________________...
2003年上海华东师范大学半导体物理考研真题一、名词解释(每题4分,共36分)迁移率_____________________________________________________...
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